Metal atomic layer etch and deposition apparatuses and processes with metal-free ligands

WO2020150043 Art A1 23. Juli 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020150043
Aktenzeichen: EP20741417
Anmeldetag: 7. Januar 2020
Veröffentlichung: 23. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67C23F4/00H01L21/768H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von