Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauteils und Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
WO2020151963
Art A1
30. Juli 2020
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020151963
- Aktenzeichen
- EP20700977
- Anmeldetag
- 10. Januar 2020
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/075H01L33/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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