Resistive random access memory with preformed filaments

WO2020154123 Art A1 30. Juli 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020154123
Aktenzeichen: EP20745676
Anmeldetag: 13. Januar 2020
Veröffentlichung: 30. Juli 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von