Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing
WO2020155032
Art A1
6. August 2020
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020155032
- Aktenzeichen
- EP19912685
- Anmeldetag
- 31. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 6. August 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11582
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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