Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate
WO2020158571
Art A1
6. August 2020
Anmelder: SCIOCS COMPANY LIMITED, SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020158571
- Aktenzeichen
- EP20748496
- Anmeldetag
- 23. Januar 2020
- Veröffentlichung
- 6. August 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SCIOCS COMPANY LIMITED
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Chemical
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.
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