Ion beam etching with gas treatment and pulsing

WO2020160092 Art A1 6. August 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020160092
Aktenzeichen: EP20749031
Anmeldetag: 29. Januar 2020
Veröffentlichung: 6. August 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/12H01L43/08H01L43/02H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von