Magnetic memory device using doped semiconductor layer

WO2020160358 Art A1 6. August 2020

Anmelder: NORTHWESTERN UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020160358
Aktenzeichen: EP20749689
Anmeldetag: 31. Januar 2020
Veröffentlichung: 6. August 2020
Rechtsraum: WO
IPC: B82Y25/00G11B5/39G11C11/15G11C11/16H01F10/32H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NORTHWESTERN UNIVERSITY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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