Method for growing monocrystalline aluminum gallium nitride and melt composition

WO2020161860 Art A1 13. August 2020

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020161860
Aktenzeichen: EP19914639
Anmeldetag: 7. Februar 2019
Veröffentlichung: 13. August 2020
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von