Metal oxide, and transistor having metal oxide
WO2020170068
Art A1
27. August 2020
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020170068
- Aktenzeichen
- EP20760066
- Anmeldetag
- 11. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 27. August 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/08H01L21/336H01L21/363H01L21/8242H01L27/108H01L27/1156H01L27/32H01L29/786H01L29/788H01L29/792H01L51/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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