High Power Printed Field Effect Transistors (fet)

WO2020170140 Art A1 27. August 2020

Anmelder: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE 🇮🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020170140
Aktenzeichen: EP20758859
Anmeldetag: 19. Februar 2020
Veröffentlichung: 27. August 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L29/06H01L51/05

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE
Land: 🇮🇳 Indien

🇮🇳 Indian Institute of Science

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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