Atomic layer deposition method and atomic layer deposition device

WO2020170482 Art A1 27. August 2020

Anmelder: MEIDENSHA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020170482
Aktenzeichen: EP19916269
Anmeldetag: 30. August 2019
Veröffentlichung: 27. August 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/40H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MEIDENSHA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Meidensha

Meidensha ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Maschinen, unter anderem für Energieversorgung, Bahntechnik und Industrieanwendungen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf elektrische Energietechnik sowie Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiter und elektrische Bauelemente. Anmeldungen laufen durchgehend von 2004 bis 2025.

646 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von