Three-dimensional memory device and method for forming the same

WO2020172799 Art A1 3. September 2020

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020172799
Aktenzeichen: EP19916829
Anmeldetag: 26. Februar 2019
Veröffentlichung: 3. September 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11578H01L27/11563

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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