Semiconductor mask reshaping using a sacrificial layer
WO2020176582
Art A1
3. September 2020
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020176582
- Aktenzeichen
- EP20763244
- Anmeldetag
- 26. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 3. September 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/033H01L21/308H01L21/3065H01L21/311H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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