Resistivity measuring method for silicon single crystal

WO2020179284 Art A1 10. September 2020

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020179284
Aktenzeichen: EP20765827
Anmeldetag: 27. Januar 2020
Veröffentlichung: 10. September 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304H01L21/324H01L21/66C30B29/06G01N27/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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