Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode

WO2020182406 Art A1 17. September 2020

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020182406
Aktenzeichen: EP20705665
Anmeldetag: 13. Februar 2020
Veröffentlichung: 17. September 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/042H01S5/22H01S5/32H01S5/024H01S5/026H01S5/40H01S5/022H01S5/323H01S5/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.304 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von