Dünnschichttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors

WO2020188010 Art A2 24. September 2020

Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWAND 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020188010
Aktenzeichen: EP20713254
Anmeldetag: 18. März 2020
Veröffentlichung: 24. September 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/05H01L51/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWAND
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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