Gan-hemt device having sandwich structure, and method for fabrication thereof

WO2020191892 Art A1 1. Oktober 2020

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020191892
Aktenzeichen: EP19921818
Anmeldetag: 15. Mai 2019
Veröffentlichung: 1. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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