Heterojunction semiconductor device having high voltage-endurance capability
WO2020192098
Art A1
1. Oktober 2020
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020192098
- Aktenzeichen
- EP19920920
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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