Schottky-type heterojunction structure, method of making the same and schottky barrier diode device including the same

WO2020192569 Art A1 1. Oktober 2020

Anmelder: NANJING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020192569
Aktenzeichen: EP20777348
Anmeldetag: 20. März 2020
Veröffentlichung: 1. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/285H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NANJING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Nanjing University

Nanjing University ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und medizinischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf anorganische Chemie und Werkstoffe, Medizintechnik, Software sowie Verfahrens- und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2003 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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