Dry etching method and method for producing semiconductor device
WO2020195559
Art A1
1. Oktober 2020
Anmelder: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020195559
- Aktenzeichen
- EP20779191
- Anmeldetag
- 2. März 2020
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
1.099 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.