Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist underlayer film, method for producing patterned substrate, and compound
WO2020196854
Art A1
1. Oktober 2020
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020196854
- Aktenzeichen
- EP20776342
- Anmeldetag
- 27. März 2020
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C07C39/23C07C211/54C08F38/00G03F7/11G03F7/20G03F7/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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