Etch Stop Layer

WO2020198502 Art A1 1. Oktober 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020198502
Aktenzeichen: EP20779393
Anmeldetag: 26. März 2020
Veröffentlichung: 1. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L27/11551H01L27/11578H01L21/02C23C16/34C23C16/505

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von