Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same
WO2020198943
Art A1
8. Oktober 2020
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020198943
- Aktenzeichen
- EP19922988
- Anmeldetag
- 29. März 2019
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/1157
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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