Method for manufacturing top light-emitting type indium gallium zinc oxide thin film transistor device
WO2020199287
Art A1
8. Oktober 2020
Anmelder: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020199287
- Aktenzeichen
- EP19922997
- Anmeldetag
- 26. April 2019
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/77H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
China Star Optoelectronics (CSOT)
Chinesischer Displayhersteller mit Sitz in Shenzhen, Tochtergesellschaft des TCL-Konzerns. CSOT entwickelt und produziert LCD- und OLED-Panels für Fernseher, Monitore und mobile Endgeräte.
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