Precision etching apparatus for fabricating recessed-gate enhancement-mode device, and etching method for same

WO2020199567 Art A1 8. Oktober 2020

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020199567
Aktenzeichen: EP19922372
Anmeldetag: 27. Oktober 2019
Veröffentlichung: 8. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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