Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit Dielektrischer Schicht und Transparenter Leitfähiger Schicht und Verfahren zur Herstellung des Optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2020200881
Art A1
8. Oktober 2020
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020200881
- Aktenzeichen
- EP20713874
- Anmeldetag
- 23. März 2020
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/22H01L33/44H01L33/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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