Charge storage memory device including ferroelectric layer between control gate electrode layers and methods of making the same

WO2020205021 Art A1 8. Oktober 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020205021
Aktenzeichen: EP19922800
Anmeldetag: 27. Dezember 2019
Veröffentlichung: 8. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22H01L29/423H01L29/78H01L27/105H01L27/11556H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von