A Metal-Insulator-Semiconductor Structure
WO2020209791
Art A1
15. Oktober 2020
Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020209791
- Aktenzeichen
- EP20788295
- Anmeldetag
- 31. März 2020
- Veröffentlichung
- 15. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/06H01L31/02B82Y20/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
National University of Singapore
Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.
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