Method of forming seamless drain-select-level electrodes for a three-dimensional memory device and structures formed by the same

WO2020209913 Art A1 15. Oktober 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020209913
Aktenzeichen: EP19924260
Anmeldetag: 27. Dezember 2019
Veröffentlichung: 15. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/11524H01L27/11529H01L27/11556H01L27/1157

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von