Frequency Selective Capacitively Tuned Ground Bonds For High Isolation in Rf Devices

WO2020219173 Art A1 29. Oktober 2020

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020219173
Aktenzeichen: EP20717458
Anmeldetag: 12. März 2020
Veröffentlichung: 29. Oktober 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01P5/02H05K1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RAYTHEON COMPANY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von