High Temperature Heating Of A Substrate in A Processing Chamber
WO2020219408
Art A1
29. Oktober 2020
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020219408
- Aktenzeichen
- EP20794970
- Anmeldetag
- 21. April 2020
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/48C23C16/505C23C16/458C23C16/44
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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