High-threshold-voltage normally-off high-electron-mobility transistor and preparation method therefor

WO2020221222 Art A1 5. November 2020

Anmelder: DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020221222
Aktenzeichen: EP20798879
Anmeldetag: 28. April 2020
Veröffentlichung: 5. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: DALIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Dalian University of Technology

Die Dalian University of Technology ist eine chinesische staatliche Universität mit breitem naturwissenschaftlich-technischem Forschungsprofil. Das Portfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Fertigungsverfahren und organische Chemie. Anmeldungen sind von 2004 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von