Lateral insulated gate bipolar transistor with low turn-on overshoot current
WO2020224358
Art A1
12. November 2020
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020224358
- Aktenzeichen
- EP20802559
- Anmeldetag
- 31. März 2020
- Veröffentlichung
- 12. November 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/739H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOUTHEAST UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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