Three-dimensional memory device using epitaxial semiconductor channels and a buried source line and method of making the same

WO2020226702 Art A1 12. November 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020226702
Aktenzeichen: EP19927851
Anmeldetag: 27. Dezember 2019
Veröffentlichung: 12. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/02H01L29/04H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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