A dual base thin wafer power semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2020229402 Art A1 19. November 2020

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020229402
Aktenzeichen: EP20723437
Anmeldetag: 11. Mai 2020
Veröffentlichung: 19. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L21/336H01L21/329H01L29/78H01L29/739H01L29/861H01L29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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