Transition metal-chalcogen compound pattern structure, method for producing same, and electrode for two-dimensional planar device including same

WO2020231023 Art A1 19. November 2020

Anmelder: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020231023
Aktenzeichen: EP20806718
Anmeldetag: 16. April 2020
Veröffentlichung: 19. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/285H01L21/027H01L21/324H01L21/768H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology)

UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology) ist eine staatliche südkoreanische Technische Universität in Ulsan. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Medizintechnik und Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2018 bis 2025 betreffen unter anderem Dünnschichtverfahren für Katalysatormaterialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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