Memory device using a multilayer ferroelectric stack and method of forming the same

WO2020231482 Art A1 19. November 2020

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020231482
Aktenzeichen: EP19929060
Anmeldetag: 30. Dezember 2019
Veröffentlichung: 19. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/22H01L27/108H01L27/11507H01L27/11509H01L27/11514H01L27/1159H01L27/11597H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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