Extreme ultraviolet (euv) lithography using an intervening layer or a multi-layer stack with varying mean free paths for secondary electron generation

WO2020232329 Art A1 19. November 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020232329
Aktenzeichen: EP20806317
Anmeldetag: 15. Mai 2020
Veröffentlichung: 19. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/20H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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