Buried capacitive material, preparation method therefor and printed circuit board

WO2020232693 Art A1 26. November 2020

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020232693
Aktenzeichen: EP19929930
Anmeldetag: 23. Mai 2019
Veröffentlichung: 26. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/06H01G4/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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