Crystal growth apparatus and crystal growth method
WO2020235315
Art A1
26. November 2020
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020235315
- Aktenzeichen
- EP20810347
- Anmeldetag
- 28. April 2020
- Veröffentlichung
- 26. November 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B23/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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