Semiconductor device
WO2020235410
Art A1
26. November 2020
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020235410
- Aktenzeichen
- EP20809605
- Anmeldetag
- 13. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 26. November 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/12H01L23/28H01L23/48H01L21/28H01L21/56H01L21/60H01L21/3205H01L21/768H01L23/522H01L29/47H01L29/872H01L29/417H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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