Method of making a three-dimensional memory device using silicon nitride etching end point detection

WO2020236243 Art A1 26. November 2020

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020236243
Aktenzeichen: EP20808779
Anmeldetag: 6. März 2020
Veröffentlichung: 26. November 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582H01L21/311H01L21/67H01L29/792H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von