High selectivity, low stress, and low hydrogen diamond-like carbon hardmasks by high power pulsed low frequency rf

WO2020243342 Art A1 3. Dezember 2020

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020243342
Aktenzeichen: EP20814737
Anmeldetag: 28. Mai 2020
Veröffentlichung: 3. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/02C23C16/26C23C16/505H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von