Method for controlling the forming voltage in resistive random access memory devices

WO2020243417 Art A1 3. Dezember 2020

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020243417
Aktenzeichen: EP20812556
Anmeldetag: 29. Mai 2020
Veröffentlichung: 3. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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