Methods of post treating silicon nitride based dielectric films with high energy low dose plasma

WO2020247531 Art A1 10. Dezember 2020

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020247531
Aktenzeichen: EP20817907
Anmeldetag: 3. Juni 2020
Veröffentlichung: 10. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/34C23C16/56

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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