3d memory device with top wordline contact located in protected region during planarization
WO2020248091
Art A1
17. Dezember 2020
Anmelder: INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020248091
- Aktenzeichen
- EP19932690
- Anmeldetag
- 10. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11551H01L27/11578H01L27/11575
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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