Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2020250612 Art A1 17. Dezember 2020

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020250612
Aktenzeichen: EP20821989
Anmeldetag: 13. Mai 2020
Veröffentlichung: 17. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L29/78H01L21/76H01L29/12H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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