Low-k dielectric with self-forming barrier layer
WO2020251880
Art A1
17. Dezember 2020
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2020251880
- Aktenzeichen
- EP20822326
- Anmeldetag
- 8. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2020
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L21/02C23C16/02C23C16/32C23C16/50C23C16/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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