Methods for polysilicon characterization

WO2020252727 Art A1 24. Dezember 2020

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020252727
Aktenzeichen: EP19933325
Anmeldetag: 20. Juni 2019
Veröffentlichung: 24. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: G01N23/04G01N23/20H01L21/66G01N23/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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