Method for manufacturing p/n-type silicon carbide having ohmic contact properties

WO2020253807 Art A1 24. Dezember 2020

Anmelder: GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE C, STATE GRID CORPORATION OF CHINA, STATE GRID JIANGSU ELECTRIC POWER COMPANY RESEARCH 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2020253807
Aktenzeichen: EP20827545
Anmeldetag: 19. Juni 2020
Veröffentlichung: 24. Dezember 2020
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE C
STATE GRID CORPORATION OF CHINA
STATE GRID JIANGSU ELECTRIC POWER COMPANY RESEARCH
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 State Grid Corporation of China

State Grid Corporation of China ist der chinesische staatliche Stromnetzbetreiber und einer der größten Energieversorger weltweit. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Elektrische Energietechnik sowie Software und Mess-/Prüftechnik, ergänzt durch Halbleitertechnik. Anmeldungen sind von 2009 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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